机译:硼注入局部p-n结的4H-SiC JBS二极管的DLTS测量
机译:带硼注入保护性p-n结的高压(900 V)4H-SiC肖特基二极管
机译:以硼注入的p-n结终止的4H-SiC肖特基二极管的脉冲击穿
机译:MeV能量和铝对4H-SiC的高温选择性注入制造的平面p-n二极管
机译:聚合物薄膜和铝的沉积以制造有机发光二极管。
机译:厚的0.35μmCMOS单光子雪崩二极管雪崩瞬变
机译:铝或硼注入制造的4H-SiC p-n二极管的雪崩现象
机译:通过铍离子注入制造的Inp和In(1-x)Ga(x)as(y)p(1-y)中的p-n结二极管。